FDS6670A和IRF7413

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6670A IRF7413 SI4048DY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6670A  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 VTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin SOICVISHAY  SI4048DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 13.0 A 13.0 A -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 5.7 W

产品系列 - IRF7413 -

漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13.0 A -

上升时间 15 ns 8.00 ns -

通道数 1 - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 8 mΩ - 0.007 Ω

阈值电压 1.8 V - 1 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

输入电容(Ciss) 2220pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 1 W - -

下降时间 42 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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