MTD3055VL和STD12NF06LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD3055VL STD12NF06LT4 MTD3055VLT4

描述 功率MOSFET 12安培, 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 VoltsSTMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET 12安培, 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 12.0 A 12.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.18 Ω 0.08 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.9 W 30 W -

阈值电压 1.5 V 3 V -

输入电容 570 pF 350 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 12A

上升时间 - 35 ns -

输入电容(Ciss) 570pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1.5 W 30 W -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 48 W 42.8W (Tc) -

栅电荷 10.0 nC - -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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