PHB45NQ10T,118和PHB47NQ10T,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHB45NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 STB80NF10T4

描述 MOSFET N-CH 100V 47A SOT404Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

耗散功率 150 W 166 W 300 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3100pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 150 W 166 W 300 W

耗散功率(Max) 150W (Tc) 166W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 80.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 12 mΩ

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 80.0 A

上升时间 - - 80 ns

下降时间 - - 60 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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