DS1265Y-70IND和DS1265Y-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1265Y-70IND DS1265Y-70IND+ DS1265Y-70+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

引脚数 36 - 36

存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 70.0 GHz - 70.0 GHz

内存容量 8000000 B - 8000000 B

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

长度 - - 53.34 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 10.29 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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