对比图
型号 IRF5305PBF MTP23P06VG 2SJ652
描述 INFINEON IRF5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V-23A,-60V,P沟道功率MOSFET-28A,-60V,P沟道MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -23.0 A -
漏源极电阻 0.06 Ω 120 mΩ 55.5 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 110 W 90W (Tc) 2 W
输入电容 1200 pF 1.62 nF -
栅电荷 - 50.0 nC -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 55 V 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) 31A 23.0 A -28A
上升时间 66 ns 98.3 ns -
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 4360pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 90 W -
下降时间 63 ns 62 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 90W (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc)
通道数 1 - 1
阈值电压 4 V - -2.6V
额定功率 110 W - -
针脚数 3 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.54 mm - -
宽度 4.69 mm - -
高度 8.77 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Bulk
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -