FDB031N08和PHB160NQ08T,118

对比图

型号 FDB031N08 PHB160NQ08T,118 BUK764R0-75C,118

描述 FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3D2PAK N-CH 75V 75AD2PAK N-CH 75V 199A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 375 W 300 W 333 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 235A 75A 199A

上升时间 191 ns 56 ns 133 ns

输入电容(Ciss) 15160pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds) 11659pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W 300 W 333 W

下降时间 121 ns 48 ns 119 ns

耗散功率(Max) 375W (Tc) 300W (Tc) 333W (Tc)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 11.33 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free