FQP2P40

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.5 欧姆 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :350pF @ 25V
功率 - 最大:63W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*
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型号: FQP2P25
描述:P-CHANNEL POWER MOSFET
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
型号: FQP2P25
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220
型号: FQP2P40
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 400V 2A TO-220

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