类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：UniFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：650 毫欧 @ 6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：30nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1315pF @ 25V
功率 - 最大：165W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：*
其它名称：FDB12N50TMCT