IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
1 | 37.757431 | 37.76 |
10 | 28.814044 | 288.14 |
30 | 27.180258 | 815.41 |
100 | 25.535863 | 2553.59 |
500 | 24.803842 | 12401.92 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
30 | 61.565723 | 1846.97 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
30 | 52.77062 | 1583.12 |
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