HSS0127
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- 制造商编号：
- HSS0127
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：900mA 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 0.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：26
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.51425 | ￥2.57 |
| 20 | ￥0.468875 | ￥9.38 |
| 100 | ￥0.4235 | ￥42.35 |
| 500 | ￥0.378125 | ￥189.06 |
| 1000 | ￥0.35695 | ￥356.95 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSS0127
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：900mA 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 0.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
900mA
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
650mΩ @ 0.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
HSS0127品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、HSS0127
数据手册PDF。
HSS0127
型号：HSS0127
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：26 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.51425 |
| 20+： | ￥0.468875 |
| 100+： | ￥0.4235 |
| 500+： | ￥0.378125 |
| 1000+： | ￥0.35695 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00