HSS2N7002K
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- 制造商编号：
- HSS2N7002K
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥0.11209 | ￥5.60 |
| 500 | ￥0.090847 | ￥45.42 |
| 3000 | ￥0.072067 | ￥216.20 |
| 6000 | ￥0.064987 | ￥389.92 |
| 24000 | ￥0.058849 | ￥1412.38 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSS2N7002K
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
0.3A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
2Ω @ 0.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
350mW
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
HSS2N7002K品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、HSS2N7002K
数据手册PDF。
HSS2N7002K
型号：HSS2N7002K
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥0.11209 |
| 500+： | ￥0.090847 |
| 3000+： | ￥0.072067 |
| 6000+： | ￥0.064987 |
| 24000+： | ￥0.058849 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00