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HSU6115

HUASHUO(华朔)
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制造商编号:
HSU6115
制造商:
HUASHUO(华朔)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W 类型:P沟道
渠道:
自营

库存 :2295

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 1.98198 1.98
10 1.90333 19.03
100 1.66738 166.74
500 1.62019 810.10

规格参数

属性
参数值

制造商型号

HSU6115

制造商

HUASHUO(华朔)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W 类型:P沟道

漏源电压(Vdss)

-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

35A

栅源极阈值电压

2.5V @ 250uA

漏源导通电阻

25mΩ @ 18A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

52.1W

类型

P沟道

包装方式

编带

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型号:HSU6115

品牌:HUASHUO

供货:锐单

库存:2295 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥1.98198
10+: ¥1.90333
100+: ¥1.66738
500+: ¥1.62019

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