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UMW8205A

MW(台湾明纬)
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制造商编号:
UMW8205A
制造商:
MW(台湾明纬)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道
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制造商型号

UMW8205A

制造商

MW(台湾明纬)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

5A

栅源极阈值电压

1.2V @ 250uA

漏源导通电阻

27mΩ @ 5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)

830mW

类型

双N沟道

包装方式

编带

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型号:UMW8205A

品牌:MW

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