HSH15810
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- 制造商编号：
- HSH15810
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：123
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.08805 | ￥5.09 |
| 30 | ￥4.9126 | ￥147.38 |
| 100 | ￥4.5617 | ￥456.17 |
| 500 | ￥4.2108 | ￥2105.40 |
| 1000 | ￥4.03535 | ￥4035.35 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSH15810
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
120A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
4.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
227W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
HSH15810品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、HSH15810
数据手册PDF。
HSH15810
型号：HSH15810
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：123 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.08805 |
| 30+： | ￥4.9126 |
| 100+： | ￥4.5617 |
| 500+： | ￥4.2108 |
| 1000+： | ￥4.03535 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.09