WNM6001-3/TR
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- 制造商编号：
- WNM6001-3/TR
- 制造商：
- WILLSEMI(韦尔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：690mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：1126
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.181827 | ￥0.91 |
| 20 | ￥0.165504 | ￥3.31 |
| 100 | ￥0.149169 | ￥14.92 |
| 500 | ￥0.132834 | ￥66.42 |
| 1000 | ￥0.125211 | ￥125.21 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WNM6001-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：690mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
500mA
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
2Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
690mW
类型
N沟道
包装方式
编带
WNM6001-3/TR 同类别型号
注
WNM6001-3/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、WNM6001-3/TR
数据手册PDF。
WNM6001-3/TR
型号：WNM6001-3/TR
品牌：WILLSEMI
供货：锐单
库存：1126 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.181827 |
| 20+： | ￥0.165504 |
| 100+： | ￥0.149169 |
| 500+： | ￥0.132834 |
| 1000+： | ￥0.125211 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00