
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥0.966604 | ¥0.97 |
| 10 | ¥0.737372 | ¥7.37 |
| 30 | ¥0.69526 | ¥20.86 |
| 100 | ¥0.653216 | ¥65.32 |
| 500 | ¥0.634477 | ¥317.24 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.9 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.6 ns
典型接通延迟时间 1.7 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN3A01FTA
型号:ZXMN3A01FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥0.966604 |
| 10+: | ¥0.737372 |
| 30+: | ¥0.69526 |
| 100+: | ¥0.653216 |
| 500+: | ¥0.634477 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.97