
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.603013 | ¥19.60 |
| 10 | ¥17.583795 | ¥175.84 |
| 100 | ¥14.406608 | ¥1440.66 |
| 500 | ¥12.264202 | ¥6132.10 |
| 1000 | ¥10.343321 | ¥10343.32 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 67 ns
上升时间 53 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 15.4 mm
长度 10.3 mm
宽度 4.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0R6020ENX
型号:R6020ENX
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.603013 |
| 10+: | ¥17.583795 |
| 100+: | ¥14.406608 |
| 500+: | ¥12.264202 |
| 1000+: | ¥10.343321 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.60