货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.974645 | ¥23.97 |
10 | ¥21.505126 | ¥215.05 |
100 | ¥17.619399 | ¥1761.94 |
500 | ¥14.999219 | ¥7499.61 |
1000 | ¥12.649966 | ¥12649.97 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 67 ns
上升时间 53 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 15.4 mm
长度 10.3 mm
宽度 4.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0R6020ENX
型号:R6020ENX
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.974645 |
10+: | ¥21.505126 |
100+: | ¥17.619399 |
500+: | ¥14.999219 |
1000+: | ¥12.649966 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.97