货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.261532 | ¥4.26 |
10 | ¥3.468414 | ¥34.68 |
100 | ¥1.841929 | ¥184.19 |
500 | ¥1.211933 | ¥605.97 |
1000 | ¥0.824134 | ¥824.13 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RU1E002SP
单位重量 6 mg
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0RU1E002SPTCL
型号:RU1E002SPTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.261532 |
10+: | ¥3.468414 |
100+: | ¥1.841929 |
500+: | ¥1.211933 |
1000+: | ¥0.824134 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.26