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RND030N20TL

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RND030N20TL
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 2.246826 5617.06

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 3 A

漏源电阻 620 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3.2 V

栅极电荷 6.7 nC

耗散功率 20 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 17 ns

正向跨导(Min) 750 mS

上升时间 13 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 18 ns

典型接通延迟时间 13 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RND030N20

单位重量 330 mg

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RND030N20TL

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型号:RND030N20TL

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

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