货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.008377 | ¥10.01 |
10 | ¥8.834556 | ¥88.35 |
100 | ¥6.774806 | ¥677.48 |
500 | ¥5.3551 | ¥2677.55 |
1000 | ¥4.284078 | ¥4284.08 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 620 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.2 V
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 750 mS
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RND030N20
单位重量 330 mg
购物车
0RND030N20TL
型号:RND030N20TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.008377 |
10+: | ¥8.834556 |
100+: | ¥6.774806 |
500+: | ¥5.3551 |
1000+: | ¥4.284078 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.01