货期: 8周-10周
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥3.332526 | ¥166.63 |
200 | ¥3.054876 | ¥610.98 |
500 | ¥2.777225 | ¥1388.61 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导(Min) 6 S
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0RSH090N03TB1
型号:RSH090N03TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
50+: | ¥3.332526 |
200+: | ¥3.054876 |
500+: | ¥2.777225 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00