货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.227313 | ¥14.23 |
10 | ¥11.60454 | ¥116.05 |
100 | ¥9.026303 | ¥902.63 |
500 | ¥7.651079 | ¥3825.54 |
1000 | ¥6.232678 | ¥6232.68 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 280 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 300 ns
典型接通延迟时间 26 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3C150BC
单位重量 155.833 mg
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0RQ3C150BCTB
型号:RQ3C150BCTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.227313 |
10+: | ¥11.60454 |
100+: | ¥9.026303 |
500+: | ¥7.651079 |
1000+: | ¥6.232678 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.23