
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.556513 | ¥5.56 |
| 10 | ¥4.794109 | ¥47.94 |
| 100 | ¥3.582015 | ¥358.20 |
| 500 | ¥2.814439 | ¥1407.22 |
| 1000 | ¥2.174794 | ¥2174.79 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 39 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 5 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUF025N02FRA
单位重量 48.690 mg
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0RUF025N02FRATL
型号:RUF025N02FRATL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.556513 |
| 10+: | ¥4.794109 |
| 100+: | ¥3.582015 |
| 500+: | ¥2.814439 |
| 1000+: | ¥2.174794 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.56