货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.358109 | ¥5.36 |
10 | ¥4.610466 | ¥46.10 |
100 | ¥3.206143 | ¥320.61 |
500 | ¥2.503608 | ¥1251.80 |
1000 | ¥2.035085 | ¥2035.09 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 21.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 4.8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.5 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E070GN
购物车
0RF4E070GNTR
型号:RF4E070GNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.358109 |
10+: | ¥4.610466 |
100+: | ¥3.206143 |
500+: | ¥2.503608 |
1000+: | ¥2.035085 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.36