货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥75.611952 | ¥75.61 |
10 | ¥68.345056 | ¥683.45 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.4 mm
长度 10.58 mm
宽度 10.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPT65R105G7 SP001456204
单位重量 771.020 mg
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0IPT65R105G7XTMA1
型号:IPT65R105G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥75.611952 |
10+: | ¥68.345056 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥75.61