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IPT65R105G7XTMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPT65R105G7XTMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
POWER TRANSISTOR 650V COOLMOS
渠道:
digikey

库存 :16

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 75.611952 75.61
10 68.345056 683.45

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 24 A

漏源电阻 105 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 35 nC

耗散功率 156 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

上升时间 7 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 68 ns

典型接通延迟时间 13 ns

外形参数

高度 2.4 mm

长度 10.58 mm

宽度 10.1 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPT65R105G7 SP001456204

单位重量 771.020 mg

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IPT65R105G7XTMA1

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型号:IPT65R105G7XTMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:16 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥75.611952
10+: ¥68.345056

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