
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.039823 | ¥19.04 |
| 10 | ¥17.113175 | ¥171.13 |
| 100 | ¥14.02317 | ¥1402.32 |
| 500 | ¥11.93763 | ¥5968.82 |
| 1000 | ¥10.067874 | ¥10067.87 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF2907ZPBF SP001571154
单位重量 2 g
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0IRF2907ZPBF
型号:IRF2907ZPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.039823 |
| 10+: | ¥17.113175 |
| 100+: | ¥14.02317 |
| 500+: | ¥11.93763 |
| 1000+: | ¥10.067874 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.04