
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥47.076783 | ¥47.08 |
| 10 | ¥39.553032 | ¥395.53 |
| 100 | ¥32.002258 | ¥3200.23 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 47 ns
上升时间 95 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFS38N20DTRLP SP001567672
单位重量 330 mg
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0IRFS38N20DTRLP
型号:IRFS38N20DTRLP
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥47.076783 |
| 10+: | ¥39.553032 |
| 100+: | ¥32.002258 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥47.08