
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥41.260975 | ¥41.26 |
| 10 | ¥37.121305 | ¥371.21 |
| 100 | ¥29.839557 | ¥2983.96 |
| 500 | ¥24.515807 | ¥12257.90 |
| 1000 | ¥20.313159 | ¥20313.16 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 390 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 124 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6011END3TL1
型号:R6011END3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥41.260975 |
| 10+: | ¥37.121305 |
| 100+: | ¥29.839557 |
| 500+: | ¥24.515807 |
| 1000+: | ¥20.313159 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥41.26