
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.858339 | ¥11.86 |
| 10 | ¥9.74384 | ¥97.44 |
| 100 | ¥7.575051 | ¥757.51 |
| 500 | ¥6.42122 | ¥3210.61 |
| 1000 | ¥5.230814 | ¥5230.81 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 10 ns
开发套件 -
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ1E050RP
单位重量 10 mg
购物车
0RQ1E050RPTR
型号:RQ1E050RPTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.858339 |
| 10+: | ¥9.74384 |
| 100+: | ¥7.575051 |
| 500+: | ¥6.42122 |
| 1000+: | ¥5.230814 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.86