
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.068535 | ¥23.07 |
| 10 | ¥20.718155 | ¥207.18 |
| 100 | ¥16.648518 | ¥1664.85 |
| 500 | ¥13.678335 | ¥6839.17 |
| 1000 | ¥11.33347 | ¥11333.47 |
| 2000 | ¥10.551896 | ¥21103.79 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 56.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPL60R650P6S SP001163080
单位重量 76 mg
购物车
0IPL60R650P6SATMA1
型号:IPL60R650P6SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.068535 |
| 10+: | ¥20.718155 |
| 100+: | ¥16.648518 |
| 500+: | ¥13.678335 |
| 1000+: | ¥11.33347 |
| 2000+: | ¥10.551896 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.07