
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.900376 | ¥11.90 |
| 10 | ¥10.412828 | ¥104.13 |
| 25 | ¥9.786642 | ¥244.67 |
| 100 | ¥7.101974 | ¥710.20 |
| 250 | ¥6.848948 | ¥1712.24 |
| 500 | ¥5.933753 | ¥2966.88 |
| 1000 | ¥5.05001 | ¥5050.01 |
| 2500 | ¥4.734365 | ¥11835.91 |
| 5000 | ¥4.261043 | ¥21305.22 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM4NB60CH
单位重量 340 mg
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0TSM4NB60CH C5G
型号:TSM4NB60CH C5G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.900376 |
| 10+: | ¥10.412828 |
| 25+: | ¥9.786642 |
| 100+: | ¥7.101974 |
| 250+: | ¥6.848948 |
| 500+: | ¥5.933753 |
| 1000+: | ¥5.05001 |
| 2500+: | ¥4.734365 |
| 5000+: | ¥4.261043 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.90