货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.37906 | ¥10.38 |
10 | ¥9.081678 | ¥90.82 |
25 | ¥8.535541 | ¥213.39 |
100 | ¥6.194075 | ¥619.41 |
250 | ¥5.973396 | ¥1493.35 |
500 | ¥5.175197 | ¥2587.60 |
1000 | ¥4.404428 | ¥4404.43 |
2500 | ¥4.129135 | ¥10322.84 |
5000 | ¥3.716322 | ¥18581.61 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM4NB60CH
单位重量 340 mg
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0TSM4NB60CH C5G
型号:TSM4NB60CH C5G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.37906 |
10+: | ¥9.081678 |
25+: | ¥8.535541 |
100+: | ¥6.194075 |
250+: | ¥5.973396 |
500+: | ¥5.175197 |
1000+: | ¥4.404428 |
2500+: | ¥4.129135 |
5000+: | ¥3.716322 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.38