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起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥2.771996 | ¥13859.98 |
10000 | ¥2.644037 | ¥26440.37 |
25000 | ¥2.638956 | ¥65973.90 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 53 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN7R506NH,L1Q
型号:TPN7R506NH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥2.771996 |
10000+: | ¥2.644037 |
25000+: | ¥2.638956 |
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