
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.370227 | ¥7.37 |
| 10 | ¥6.031794 | ¥60.32 |
| 100 | ¥4.689823 | ¥468.98 |
| 500 | ¥3.975088 | ¥1987.54 |
| 1000 | ¥3.238124 | ¥3238.12 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 460 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.23 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0RCX080N25
型号:RCX080N25
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.370227 |
| 10+: | ¥6.031794 |
| 100+: | ¥4.689823 |
| 500+: | ¥3.975088 |
| 1000+: | ¥3.238124 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.37