
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.312602 | ¥10.31 |
| 10 | ¥9.058367 | ¥90.58 |
| 100 | ¥6.94289 | ¥694.29 |
| 500 | ¥5.487977 | ¥2743.99 |
| 1000 | ¥4.390382 | ¥4390.38 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 79 ns
上升时间 63 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 138 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E180BN
单位重量 324.709 mg
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0RQ3E180BNTB
型号:RQ3E180BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.312602 |
| 10+: | ¥9.058367 |
| 100+: | ¥6.94289 |
| 500+: | ¥5.487977 |
| 1000+: | ¥4.390382 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.31