货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.994264 | ¥8.99 |
10 | ¥7.900367 | ¥79.00 |
100 | ¥6.055327 | ¥605.53 |
500 | ¥4.786406 | ¥2393.20 |
1000 | ¥3.829126 | ¥3829.13 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 79 ns
上升时间 63 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 138 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E180BN
单位重量 324.709 mg
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0RQ3E180BNTB
型号:RQ3E180BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.994264 |
10+: | ¥7.900367 |
100+: | ¥6.055327 |
500+: | ¥4.786406 |
1000+: | ¥3.829126 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.99