RDD022N50TL
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RDD022N50TL
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 500V CPT
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.452472 | ￥6131.18 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 4.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 51 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导（Min） 600 mS
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RDD022N50
单位重量 330 mg
RDD022N50TL 同类别型号
注
RDD022N50TL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RDD022N50TL
数据手册PDF。
RDD022N50TL
型号：RDD022N50TL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.452472 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00