
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.150506 | ¥16.15 |
| 10 | ¥14.436285 | ¥144.36 |
| 100 | ¥11.254354 | ¥1125.44 |
| 500 | ¥9.297309 | ¥4648.65 |
| 1000 | ¥7.33998 | ¥7339.98 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 70 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ1E070RP
单位重量 10 mg
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0RQ1E070RPTR
型号:RQ1E070RPTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.150506 |
| 10+: | ¥14.436285 |
| 100+: | ¥11.254354 |
| 500+: | ¥9.297309 |
| 1000+: | ¥7.33998 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.15