
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥74.785517 | ¥74.79 |
| 10 | ¥67.157666 | ¥671.58 |
| 100 | ¥55.023682 | ¥5502.37 |
| 500 | ¥46.84125 | ¥23420.63 |
| 1000 | ¥39.504669 | ¥39504.67 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
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0TK099V65Z,LQ
型号:TK099V65Z,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥74.785517 |
| 10+: | ¥67.157666 |
| 100+: | ¥55.023682 |
| 500+: | ¥46.84125 |
| 1000+: | ¥39.504669 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥74.79