货期:国内(1~3工作日)
起订量:75
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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75 | ¥6.607053 | ¥495.53 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.2 A
漏源电阻 1.02 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 17 ns
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 39 ns
高度 6.1 mm
长度 6.65 mm
宽度 2.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0TK5Q65W,S1Q
型号:TK5Q65W,S1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
75+: | ¥6.607053 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00