货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2000 | ¥52.949886 | ¥105899.77 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 19.4 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM80N1R2CL
单位重量 2.387 g
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0TSM80N1R2CL C0G
型号:TSM80N1R2CL C0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥52.949886 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00