TSM120N10PQ56 RLG
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- 制造商编号：
- TSM120N10PQ56 RLG
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
- 渠道：
- digikey
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM120N10PQ56 RLG
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
145nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3902pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
36W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-PDFN (5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
TSM120N10PQ56 RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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TSM120N10PQ56 RLG
型号：TSM120N10PQ56 RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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