货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 3.9 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9.4 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.4 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 9.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.4 ns
典型接通延迟时间 9.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM2NB60CH
单位重量 340 mg
购物车
0TSM2NB60CH C5G
型号:TSM2NB60CH C5G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00