货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.482716 | ¥5.48 |
10 | ¥4.685231 | ¥46.85 |
100 | ¥3.258479 | ¥325.85 |
500 | ¥2.54448 | ¥1272.24 |
1000 | ¥2.068231 | ¥2068.23 |
2000 | ¥1.848922 | ¥3697.84 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 21 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.8 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM180N03PQ33
单位重量 304.151 mg
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0TSM180N03PQ33 RGG
型号:TSM180N03PQ33 RGG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.482716 |
10+: | ¥4.685231 |
100+: | ¥3.258479 |
500+: | ¥2.54448 |
1000+: | ¥2.068231 |
2000+: | ¥1.848922 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.48