TPS1100DR
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- 制造商编号：
- TPS1100DR
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.775217 | ￥4.78 |
| 30 | ￥4.032163 | ￥120.96 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 15 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 2 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.45 nC
耗散功率 791 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 2.5 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 PMOS Switches
单位重量 74 mg
TPS1100DR 同类别型号
注
TPS1100DR品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TPS1100DR
数据手册PDF
。
TPS1100DR
型号：TPS1100DR
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.775217 |
| 30+： | ￥4.032163 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.78