IXGR120N60C2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGR120N60C2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT PT 600 V 75 A 300 W 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V 75A 300W ISOPLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXGR120N60C2中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN, N-Channel

耗散功率 300000 mW

上升时间 45.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR120N60C2

型号： IXGR120N60C2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247