IPC50N04S5L5R5ATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0044 ohm, 10 V, 1.6 V
Summary of Features:
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- OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
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- N-channel - Enhancement mode - Logic Level
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- AEC Q101 qualified
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- MSL1 up to 260°C peak reflow
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- 175°C operating temperature
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- Green Product RoHS compliant
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- 100% Avalanche tested
IPC50N04S5L5R5ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0044 Ω
极性 N-CH
耗散功率 42 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 1209pF @25VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-33
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8-33
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
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