Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3Pin SOT-23 T/R
表面贴装型 N 通道 500 V 13mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
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MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
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LND250K1-G
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MOSFET 500V 1KOhm
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MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 1K Ohm3 SOT-23 T/R
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通道数 1
漏源极电阻 1 kΩ
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 450 ns
输入电容Ciss 10pF @25VVds
下降时间 450 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
LND250K1-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
LND250K1 超科 | 功能相似 | LND250K1-G和LND250K1的区别 |