MRF141G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF141G概述

射频功率场效应管300W ， 175MHz的， 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28V

RF Mosfet 2 N 沟道（双）共源 28 V 500 mA 175MHz 14dB 300W 375-04，2 型

立创商城:
MRF141G

得捷:
FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 5-Pin Case 375-04

Win Source:
FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04 / RF Mosfet 2 N-Channel Dual Common Source 28 V 500 mA 175MHz 14dB 300W 375-04, Style 2

MRF141G中文资料参数规格

技术参数

频率 175 MHz

耗散功率 500000 mW

漏源击穿电压 65.0V min

输出功率 300 W

增益 14 dB

测试电流 500 mA

输入电容Ciss 350pF @28VVds

耗散功率Max 500000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Flange

引脚数 5

封装 375-04

外形尺寸

封装 375-04

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买MRF141G

型号： MRF141G

制造商： M/A-Com

描述：射频功率场效应管300W ， 175MHz的， 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28V

替代型号MRF141G