MBR735 C0参数规格_中文资料_数据手册PDF

MBR735 C0概述

2A 至 9A，Taiwan Semiconductor低功率损耗低正向压降高电流容量 ### 二极管和整流器，Taiwan Semiconductor

肖特基势垒，2A 至 9A，

低功率损耗

低正向压降

高电流容量

### 二极管和整流器，Taiwan Semiconductor

欧时:
### 肖特基势垒二极管，2A 至 9A，Taiwan Semiconductor低功率损耗低正向压降高电流容量 ### 二极管和整流器，Taiwan Semiconductor

艾睿:
Diode Schottky 35V 7.5A 2-Pin2+Tab TO-220A Tube

Allied Electronics:
DIODE, SCHOTTKY, 7A, 35V, TO-220AC

MBR735 C0中文资料参数规格

技术参数

正向电流 7 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A

正向电流Max 7.5 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.5 mm

宽度 4.7 mm

高度 8.24 mm

封装 TO-220

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买MBR735 C0

型号： MBR735 C0

制造商： Taiwan Semiconductor 台湾半导体

描述：2A 至 9A，Taiwan Semiconductor 低功率损耗低正向压降高电流容量 ### 二极管和整流器，Taiwan Semiconductor