对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR MJD112T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAKON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK (TO-252)封装NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 2.00 A - 2.00 A
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
针脚数 3 3 3
极性 NPN - NPN
耗散功率 20 W 1.75 W 1.75 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 2A - 2A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000
最大电流放大倍数(hFE) 12000 - 12000
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 12 200 12000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 20 W
输出电压 - - 100 V
热阻 - - 71.4℃/W (RθJA)
输入电压 - - 5 V
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.8 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.3 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -