SGF5N150UFTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.50 kV
额定电流 5.00 A
耗散功率 62.5 W
击穿电压集电极-发射极 1500 V
额定功率Max 62.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
宽度 5.7 mm
高度 16.7 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SGF5N150UFTU
型号： SGF5N150UFTU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGF5N150UFTU IGBT Single Transistor, 10A, 1.5kV, 62.5W, 1.5kV, SOIC, 3Pins